旺宏电子申请存储器元件及其制造方法专利,制造具有高容量与高性能的存储器元件
国家知识产权局信息显示,旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器元件及其制造方法”的专利,公开号CN120456557A,申请日期为2024年02月。
国家知识产权局信息显示,旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器元件及其制造方法”的专利,公开号CN120456557A,申请日期为2024年02月。
日前,存储厂商旺宏电子表示,不会直接以MLC NAND颗粒应对市场,而是以eMMC形式出货,相关产品与搭配的控制器均已准备就绪。MLC产品线因营收占比低,未揭露具体数据,但公司看好后续eMMC放量出货,将推升整体NAND营收状况。
存储大厂旺宏5月合并营收22.68亿元(新台币),月减2.7%,年增5%,反映产品出货组合与市场需求逐步回稳。
近期,芯片烧录领域的领导者昂科技术推出其烧录软件的重大版本更新。在新版本发布之际,公司同步宣布新增多款兼容芯片型号,其中包括旺宏电子开发的MX25U51245G串行NOR闪存存储器。该芯片已成功完成与昂科旗舰产品AP8000烧录芯片工具的技术适配,此举显著增强
国家知识产权局信息显示,旺宏电子股份有限公司申请一项名为“三维存储器”的专利,公开号CN119967817A,申请日期为2023年11月。